CNR Institutional Research Information System

Impact of the Morphological and Electrical Properties of SiO2/4H-SiC Interfaces on the Behavior of 4H-SiC MOSFETs

Fabrizio Roccaforte;Patrick Fiorenza;Filippo Giannazzo
2013
2013
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
Inglese
WOS:000320306600002
2
8
N3006
N3011
Sì, ma tipo non specificato
3
info:eu-repo/semantics/article
262
Roccaforte, Fabrizio; Fiorenza, Patrick; Giannazzo, Filippo
01 Contributo su Rivista::01.01 Articolo in rivista
none
01.01 Articolo in rivista
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/219508
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 9
social impact