CNR Institutional Research Information System

Ge assisted 3C-SiC nucleation and growth by vapour phase epitaxy on on-axis 4H-SiC substrate

M Vivona;F Giannazzo;F Roccaforte;
2015
2015
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
Inglese
806
27
31
2-s2.0-84921494076
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84921494076&partnerID=q2rCbXpz
Sì, ma tipo non specificato
C-AFM and barrier height
CVD
Germanium
In-situ pretreatment
6
info:eu-repo/semantics/article
262
Alassaad, K; Souliere, V; Vivona, M; Giannazzo, F; Roccaforte, F; Ferro, G
01 Contributo su Rivista::01.01 Articolo in rivista
none
   Training NETwork on Functional Interfaces for SiC
   NETFISIC
   FP7
   264613
01.01 Articolo in rivista
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