CNR Institutional Research Information System

Voids-free 3C-SiC/Si interface for high quality epitaxial layer

Anzalone R;Alberti A;Fiorenza P;La Via F
2016
2016
3C-SiC
Heteroepitaxy
High quality 3C-SiC/Si interface
Voids reduction
01.01 Articolo in rivista
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/329030
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