CNR Institutional Research Information System

Voids-free 3C-SiC/Si interface for high quality epitaxial layer

Anzalone R;Alberti A;Fiorenza P;La Via F
2016
2016
Inglese
858
159
162
2-s2.0-84971504994
http://www.scopus.com/record/display.url?eid=2-s2.0-84971504994&origin=inward
3C-SiC
Heteroepitaxy
High quality 3C-SiC/Si interface
Voids reduction
11
info:eu-repo/semantics/article
262
Anzalone, R; Piluso, N; Reitano, R; Alberti, A; Fiorenza, P; Salanitri, M; Severino, A; Lorenti, S; Arena, G; Coffa, S; La Via, F
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none
01.01 Articolo in rivista
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