Growth rate effect on 3C-SiC film residual stress on (100) Si substrates

Anzalone R;D'Arrigo G;La Via F;
2010

2010
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
Sì, ma tipo non specificato
9
info:eu-repo/semantics/article
262
Anzalone, R; Locke, C; Carballo, J; Piluso, N; Severino, A; D'Arrigo, G; Volinsky, Aa; La Via, F; Saddow, Se
01 Contributo su Rivista::01.01 Articolo in rivista
none
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