CNR Institutional Research Information System

MOS capacitors fabricated on (0001) 4H-SiC implanted with N+ ions

Poggi A;Moscatelli F;Solmi S;Nipoti R
2007
2007
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
2nd WASMPE
Olbia, Italy
wide band gap semiconductor
4H-SiC
electronic device
MOS
SiO2/SiC interface state density
none
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
Poggi, A; Moscatelli, F; Solmi, S; Hijikata, Y; Nipoti, R
275
04 Contributo in convegno::04.03 Poster in Atti di convegno
5
04.03 Poster in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/86688
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