CNR Institutional Research Information System

Ion implantation p+/n diodes: post-implantation annealing in a Silane ambient in a cold-wall low pressure CVD reactor

Poggi A;Tamarri F;Nipoti R
2005
2005
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
wide band gap materials
SiC
post implantation annealing
04.03 Poster in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/86691
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