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FIORENZA, PATRICK

FIORENZA, PATRICK  

Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM  

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Titolo Data di pubblicazione Autore(i) File
4H-SiC MOSFET Threshold Voltage Instability Evaluated via Pulsed High-Temperature Reverse Bias and Negative Gate Bias Stresses 1-gen-2024 Anoldo, Laura; Zanetti, Edoardo; Coco, Walter; Russo, Alfio; Fiorenza, Patrick; Roccaforte, Fabrizio
Anomalous Electrical Behavior of 4H-SiC Schottky Diodes in Presence of Stacking Faults 1-gen-2024 Vivona, M.; Fiorenza, P.; Scuderi, V.; La Via, F.; Giannazzo, F.; Roccaforte, F.
Comparing post-deposition and post-metallization annealing treatments on Al2O3/GaN capacitors for different metal gates 1-gen-2024 Schiliro', E.; Greco, G.; Fiorenza, P.; Panasci, S. E.; Di Franco, S.; Cordier, Y.; Frayssinet, E.; Lo Nigro, R.; Giannazzo, F.; Roccaforte, F.
Complementary Two Dimensional Carrier Profiles of 4H-SiC MOSFETs by Scanning Spreading Resistance Microscopy and Scanning Capacitance Microscopy 1-gen-2024 Fiorenza, Patrick; Zignale, Marco; Zanetti, Edoardo; Alessandrino, Mario S.; Carbone, Beatrice; Guarnera, Alfio; Saggio, Mario; Giannazzo, Filippo; Roccaforte, Fabrizio
Electrical and Structural Properties of Ohmic Contacts of SiC Diodes Fabricated on Thin Wafers 1-gen-2024 Badalà, Paolo; Bongiorno, Corrado; Fiorenza, Patrick; Bellocchi, Gabriele; Smecca, Emanuele; Vivona, Marilena; Zignale, Marco; Massimino, Maurizio; Deretzis, Ioannis; Rascunà, Simone; Frazzica, Marcello; Boscaglia, Massimo; Roccaforte, Fabrizio; La Magna, Antonino; Alberti, Alessandra
Hydrogen Etching Process of 4H-SiC (0001) in Limited Regions 1-gen-2024 Mancuso, A.; Boninelli, S.; Camarda, M.; Fiorenza, P.; Mio, A.; Scuderi, V.; Godignon, P.; Aslanidou, S.; Calcagno, L.; Via, F. L.
Impact of the NO annealing duration on the SiO2/4H–SiC interface properties in lateral MOSFETs: The energetic profile of the near-interface-oxide traps 1-gen-2024 Fiorenza, Patrick; Zignale, Marco; Camalleri, Marco; Scalia, Laura; Zanetti, Edoardo; Saggio, Mario; Giannazzo, Filippo; Roccaforte, Fabrizio
Schottky contacts on sulfurized silicon carbide (4H-SiC) surface 1-gen-2024 Roccaforte, Fabrizio; Vivona, Marilena; Panasci, Salvatore Ethan; Greco, Giuseppe; Fiorenza, Patrick; Sulyok, Attila; Koos, Antal; Pecz, Bela; Giannazzo, Filippo
Structural and electrical correlation in aluminum nitride thin films grown by plasma enhanced atomic layer deposition as interface insulating layers on silicon carbide (4H-SiC) 1-gen-2024 Galizia, Bruno; Fiorenza, Patrick; Bongiorno, Corrado; Pécz, Béla; Fogarassy, Zsolt; Schiliro', Emanuela; Giannazzo, Filippo; Roccaforte, Fabrizio; LO NIGRO, Raffaella
Thermionic Field Emission in the Lifetime Estimation of p-GaN Gate HEMTs 1-gen-2024 Greco, G.; Fiorenza, P.; Giannazzo, F.; Vivona, M.; Venuto, C.; Iucolano, F.; Roccaforte, F.
Towards aluminum oxide/aluminum nitride insulating stacks on 4H–SiC by atomic layer deposition 1-gen-2024 Galizia, Bruno; Fiorenza, Patrick; Schiliro', Emanuela; Pecz, Bela; Foragassy, Zsolt; Greco, Giuseppe; Saggio, Mario; Cascino, Salvatore; Lo Nigro, Raffaella; Roccaforte, Fabrizio
Al2O3 Layers Grown by Atomic Layer Deposition as Gate Insulator in 3C-SiC MOS Devices 1-gen-2023 Schiliro, Emanuela; Fiorenza, Patrick; Lo Nigro, Raffaella; Galizia, Bruno; Greco, Giuseppe; Di Franco, Salvatore; Bongiorno, Corrado; La Via, Francesco; Giannazzo, Filippo; Roccaforte, Fabrizio
Carrot-like crystalline defects on the 4H-SiC powerMOSFET yield and reliability 1-gen-2023 Carbone, B.; Alessandrino, M. S.; Russo, A.; Vitanza, E.; Giannazzo, F.; Fiorenza, P.; Roccaforte, F.
Consideration on the extrapolation of the low insulator field TDDB in 4H-SiC power MOSFETs 1-gen-2023 Fiorenza, P.; Cordiano, F.; Alessandrino, S. M.; Russo, A.; Zanetti, E.; Saggio, M.; Bongiorno, C.; Giannazzo, F.; Roccaforte, F.
Current transport in Ni Schottky barrier on GaN epilayer grown on free standing substrates 1-gen-2023 Greco, G.; Fiorenza, P.; Schiliro, E.; Bongiorno, C.; Di Franco, S.; Coulon, P. -M.; Frayssinet, E.; Bartoli, F.; Giannazzo, F.; Alquier, D.; Cordier, Y.; Roccaforte, F.
Evolution of Interface State Density and Near Interface Oxide Traps under Controlled Nitric Oxide Annealing in SiO2/SiC Lateral MOSFETs 1-gen-2023 Fiorenza, Patrick; Camalleri, Marco; Scalia, Laura; Zanetti, Edoardo; Saggio, Mario; Giannazzo, Filippo; Roccaforte, Fabrizio
Highly Homogeneous 2D/3D Heterojunction Diodes by Pulsed Laser Deposition of MoS2 on Ion Implantation Doped 4H-SiC 1-gen-2023 Giannazzo, F.; Panasci, S. E.; Schiliro', E.; Fiorenza, P.; Greco, G.; Roccaforte, F.; Cannas, M.; Agnello, S.; Koos, A.; Pecz, B.; Spankova, M.; Chromik, S.
Large-Area MoS2 Films Grown on Sapphire and GaN Substrates by Pulsed Laser Deposition 1-gen-2023 Spankova, M.; Chromik, S.; Dobrocka, E.; Pribusova Slusna, L.; Talacko, M.; Gregor, M.; Pecz, B.; Koos, A.; Greco, G.; Panasci, S. E.; Fiorenza, P.; Roccaforte, F.; Cordier, Y.; Frayssinet, E.; Giannazzo, F.
Role of density gradients in the growth dynamics of 2-dimensional MoS2 using liquid phase molybdenum precursor in chemical vapor deposition 1-gen-2023 Esposito, F; Bosi, M; Attolini, G; Rossi, F; Panasci, SALVATORE ETHAN; Fiorenza, P; Giannazzo, F; Fabbri, F; Seravalli, L
Space charge limited current in 4H-SiC Schottky diodes in the presence of stacking faults 1-gen-2023 Vivona, M.; Fiorenza, P.; Scuderi, V.; La Via, F.; Giannazzo, F.; Roccaforte, F.