CNR Institutional Research Information System

Impact of Morphological Features on the Dielectric Breakdown at SiO2/3C-SiC Interfaces

Roccaforte F;Giannazzo F;Fiorenza P;Raineri V
2010
2010
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
Conference of the E-MRS Symposium F Strasbourg, FRANCE, JUN 08-10, 2010
Strasburgo
4
none
Eriksson J; Roccaforte F; Weng MH; Lorenzzi J; Jegenyes N; Giannazzo F; Fiorenza P; Raineri V
273
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
04 Contributo in convegno::04.01 Contributo in Atti di convegno
04.01 Contributo in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/70156
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