CNR Institutional Research Information System

Improvement of electron channel mobility in 4H SiC MOSFET by using nitrogen implantation

Moscatelli F;Nipoti R;Solmi S;Cristiani S;Sanmartin M;Poggi A
2007
2007
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
wide band gap semiconductor
4H-SiC
electronic device
MOSFET
channel mobility
04.03 Poster in Atti di convegno
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