Fabrication of MOS Capacitors by Wet Oxidation of p-type 4H-SiC

Moscatelli F;Poggi A;Solmi S;Cristiani S;Nipoti R
2006

2006
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
4H-SiC
p-MOS
interface trap
N implantation
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/86689
Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus ND
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? ND
social impact