CNR Institutional Research Information System

Fabrication of MOS Capacitors by Wet Oxidation of p-type 4H-SiC

Moscatelli F;Poggi A;Solmi S;Cristiani S;Nipoti R
2006
2006
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
ECSCRM (European Conference on Silicon Carbide and Related Materials)
Newcastle upon Tyne, UK
4H-SiC
p-MOS
interface trap
N implantation
none
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
Hijikata, Y; Yoshida, S; Moscatelli, F; Poggi, A; Solmi, S; Cristiani, S; Nipoti, R
275
04 Contributo in convegno::04.03 Poster in Atti di convegno
7
04.03 Poster in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/86689
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