CNR Institutional Research Information System

Characterization of MOS capacitors fabricated on n-type 4H-SiC

Poggi A;Moscatelli F;Solmi S;Sanmartin M;Tamarri F;Nipoti R
2006
2006
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
4H-SiC
n-MOS
interface trap
N implantation
04.03 Poster in Atti di convegno
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/86690
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