CNR Institutional Research Information System

Characterization of MOS capacitors fabricated on n-type 4H-SiC

Poggi A;Moscatelli F;Solmi S;Sanmartin M;Tamarri F;Nipoti R
2006
2006
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
ECSCRM (European Conference on Silicon Carbide and Related Materials)
Newcastle upon Tyne, UK
4H-SiC
n-MOS
interface trap
N implantation
none
info:eu-repo/semantics/conferenceObject
Poggi A.; Moscatelli F.; Hijikata Y.; Solmi S.; Sanmartin M.; Tamarri F.; Nipoti R.
275
04 Contributo in convegno::04.03 Poster in Atti di convegno
6
04.03 Poster in Atti di convegno
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