CNR Institutional Research Information System

Probing at nanoscale underneath the gate oxides in 4H-SiC MOS-based devices annealed in N2O and POCI3

P Fiorenza;M Vivona;F Giannazzo;C Bongiorno;S Di Franco;F Roccaforte
2015
2015
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
4H-SiC
Post-Oxidadion Annealing
Scanning Capacitance Microscopy
Scanning Spreading Resistance Microscopy
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01.01 Articolo in rivista
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