CNR Institutional Research Information System

Probing at nanoscale underneath the gate oxides in 4H-SiC MOS-based devices annealed in N2O and POCI3

P Fiorenza;M Vivona;F Giannazzo;C Bongiorno;S Di Franco;F Roccaforte
2015
2015
Istituto per la Microelettronica e Microsistemi - IMM
Inglese
806
143
147
2-s2.0-84921504192
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84921504192&partnerID=q2rCbXpz
Sì, ma tipo non specificato
4H-SiC
Post-Oxidadion Annealing
Scanning Capacitance Microscopy
Scanning Spreading Resistance Microscopy
[object Object
10
info:eu-repo/semantics/article
262
Fiorenza, P; Vivona, M; Swanson, Lk; Giannazzo, F; Bongiorno, C; DI FRANCO, Salvatore; Lorenti, S; Frazzetto, A; Chassagne, T; Roccaforte, F
01 Contributo su Rivista::01.01 Articolo in rivista
none
   Training NETwork on Functional Interfaces for SiC
   NETFISIC
   FP7
   264613
01.01 Articolo in rivista
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/20.500.14243/283612
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